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光刻机是法国人Nicephoreniepce(尼埃普斯)发明的,起初是Nicephoreniepce发现了一种能够刻在油纸上的印痕,当其出现在了玻璃片上后,经过一段时间的暴晒,透光的部分就会变得很硬,但是在不透光的部分可以用松香和植物油将其洗掉。
光刻机(lithography)又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域,光源有汞灯,准分子激光器等。
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