euv和duv区别：

1、制程范围不同。duv：基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。euv：能满足10nm以下的晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。

2、发光原理不同。duv：光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。euv：激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。

3、光路系统不同。duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。

极紫外光刻（ExtremeUltra-violet），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。